近期,深圳市大鹏新区组织人事局正式揭晓“鹏程杰出人才奖”获奖人选。经过多层选拔推荐,比亚迪半导体股份有限公司功率半导体产品中心副总监吴海平荣膺该奖项!
据公开信息获悉,该奖项旨在对大鹏新区建设发展和创新创业方面作出突出贡献的人才进行奖励,每两年评选一次,推荐人选近5年须在既定领域内取得突出业绩。今年全区获奖人数仅有3人,入选难度可见一斑。
图片来源于大鹏新区政府在线官网
其中,获奖者之一——比亚迪半导体吴海平,有着近十六年功率半导体器件开发经验,作为国内第一批中高端IGBT从业人员,其主导研发的IGBT4.0芯片成功树立国内中高端车规级IGBT新标杆。吴海平所在团队,主要负责IGBT关键技术攻关,解决新能源汽车核心零部件关键技术问题。
依托公司研发平台,吴海平带领团队致力于功率半导体产品研发,并作为主要完成人开展了“高可靠性大电流IGBT器件关键技术研发及规模化应用”项目、“比亚迪纯电动乘用车关键技术及产业化”项目。
该批项目对新型绝缘栅双极晶体管(IGBT)芯片、非负温度系数快恢复二级管(FRD)芯片及高可靠性功率模块封装等关键技术进行研究。项目成果经鉴定,整体达到国际先进水平,部分指标达到国际领先水平,经科技成果鉴定评价为“填补国内空白/突破性创新,部分技术属于国际首创”。
图注:比亚迪半导体IGBT芯片
以上项目不仅实现了我国在车用IGBT芯片产品上从无到有的突破,促进了国内车规级IGBT技术和规模化应用的长足发展,达到国内约20%车用IGBT市场占有率,并得到社会广泛认可。除此之外,项目完全自主知识产权的IGBT芯片、FRD芯片及各种功率模块已广泛应用于比亚迪全系列车型,提升了比亚迪新能源汽车的核心竞争力。
图注:IGBT芯片、FRD芯片及各种功率模块已广泛应用于比亚迪全系列车型
作为国内领先的高效、智能、集成新型半导体企业,比亚迪半导体拥有国内领先的功率芯片设计经验、成熟的晶圆制造工艺、功率模块生产能力、独有的测试条件以及应用平台。在IGBT芯片领域,比亚迪半导体于2009年便推出国内首款自主研发的 IGBT 芯片,2018年推出 IGBT4.0 芯片并树立国内中高端车用IGBT新标杆。截止目前,以IGBT为主的车规级功率器件累计装车超过100万辆,单车行驶里程超过100万公里。
同时,比亚迪半导体还将于今年下半年重磅发布IGBT6.0芯片,该芯片采用新一代自主研发的高密度沟槽栅技术,相较同类产品在可靠性及产品性能上将实现重大突破。
创新驱动根本在人才,实施高质量发展离不开高素质人才队伍。对于企业发展而言,人才是宝贵的战略资源。比亚迪半导体重视人才发展,构建生态圈培养模式,落实人才激励政策,做到敢于用人、人尽其才和才尽其用。同时,在公司内部形成合作与竞争的良好环境,充分发挥人才的主动性、积极性与创造性,为公司的蓬勃发展提供坚实后盾。
图注:比亚迪半导体重视人才发展,构建生态圈培养模式
古语有云:“九层之台,起于垒土;千里之行,始于足下”。半导体是一个需要积累和沉淀的行业,公司的长足发展更是离不开源源不断的技术创新。作为电动汽车的核心,芯片是一定要解决的问题,为解决汽车电动化、智能化进程中的关键技术问题,比亚迪半导体自2004年成立以来,从工业消费级半导体产品技术,到车规级高效、智能、集成半导体技术一路摸索、跨越,致力于用技术创新满足人们对美好生活的向往。
